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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTT10N100D2

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2269168

Imagem IXTT10N100D2.

IXYS Corporation

IXTT10N100D2

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

30+

$12.084

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTT10N100D2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTT10N100D2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-268
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.5 Ohm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

695W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5320pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

Depletion Mode
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1000V
Descrição detalhada

N-Channel 1000V 10A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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