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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTT110N10P

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5503955

Imagem IXTT110N10P.

IXYS Corporation

IXTT110N10P

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

30+

$6.081

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTT110N10P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTT110N10P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-268
Série

PolarHT™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

15 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

480W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3550pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 110A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-268
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

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