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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTU12N06T

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5703309

Imagem IXTU12N06T.

IXYS Corporation

IXTU12N06T

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75+

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150+

$1.127

525+

$0.874

1050+

$0.69

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTU12N06T
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 12A TO-251
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTU12N06T.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-251
Série

TrenchMV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

85 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max)

33W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

256pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

3.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-251
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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