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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTU8N70X2

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Imagem IXTU8N70X2.

IXYS Corporation

IXTU8N70X2

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75+

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$2.07

525+

$1.61

1050+

$1.334

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXTU8N70X2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXTU8N70X2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-251-3
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

500 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

150W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

14 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

700V
Descrição detalhada

N-Channel 700V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-251-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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