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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > IXXX200N65B4

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1053205

Imagem IXXX200N65B4.

IXYS Corporation

IXXX200N65B4

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Disponível

1+

$18.55

10+

$16.863

30+

$15.598

120+

$14.334

270+

$13.069

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IXXX200N65B4
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXXX200N65B4.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

1.7V @ 15V, 160A
Condição de teste

400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

62ns/245ns
Alternando Energia

4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PLUS247™-3
Série

GenX4™, XPT™
Power - Max

1150W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

PT
portão de carga

553nC
Descrição detalhada

IGBT PT 650V 370A 1150W Through Hole PLUS247™-3
Atual - Collector Pulsada (ICM)

1000A
Atual - Collector (Ic) (Max)

370A

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