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IXDI602SITR

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Especificações

Modelo do Produto

IXDI602SITR
Fabricante / Marca

IXYS Integrated Circuits Division
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IXDI602SITR.pdf
Tensão - Fornecimento

4.5 V ~ 35 V
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SOIC-EP
Série

-
Aumento / tempo de queda (típico)

7.5ns, 6.5ns
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Frequência de entrada

2
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

7 Weeks
Tensão lógica - VIL, VIH

0.8V, 3V
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Inverting
Tipo de portão

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Configuração Driven

Low-Side
Descrição detalhada

Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP
Corrente - Saída de Pico (Fonte, Pia)

2A, 2A
Base-saturação do emissor Tensão (Max)

Independent

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Descrição: 2A 8 DIP DUAL INVERTING

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Descrição: 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT

Fabricantes: IXYS Integrated Circuits Division

Disponível

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