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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPB042N10N3GATMA1

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Imagem IPB042N10N3GATMA1.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB042N10N3GATMA1

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Disponível

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$3.28

10+

$2.96

100+

$2.379

500+

$1.85

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IPB042N10N3GATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPB042N10N3GATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK (TO-263AB)
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.2 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)

214W (Tc)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

IPB042N10N3 GDKR
IPB042N10N3 GDKR-ND
IPB042N10N3GATMA1DKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8410pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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Descrição: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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