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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPB048N15N5ATMA1

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Imagem IPB048N15N5ATMA1.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB048N15N5ATMA1

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

1000+

$3.929

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IPB048N15N5ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPB048N15N5ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4.6V @ 264µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO263-3
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.8 mOhm @ 60A, 10V
Dissipação de energia (Max)

300W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

IPB048N15N5ATMA1-ND
IPB048N15N5ATMA1TR
SP001279596
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7800pF @ 75V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

8V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

150V
Descrição detalhada

N-Channel 150V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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