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Imagem IPB065N15N3GE8187ATMA1.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB065N15N3GE8187ATMA1

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IPB065N15N3GE8187ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPB065N15N3GE8187ATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 270µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO263-7
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

6.5 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max)

300W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Outros nomes

IPB065N15N3 G E8187
IPB065N15N3 G E8187-ND
IPB065N15N3 G E8187TR-ND
IPB065N15N3GE8187ATMA1TR
SP000939336
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7300pF @ 75V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

8V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

150V
Descrição detalhada

N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

130A (Tc)

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