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Imagem IPB06N03LB.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB06N03LB

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IPB06N03LB
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

IPB06N03LB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 40µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK (TO-263AB)
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

6.3 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)

83W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

IPB06N03LBT
SP000065274
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2782pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 50A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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