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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPD30N06S4L23ATMA2
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2745338Imagem IPD30N06S4L23ATMA2.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD30N06S4L23ATMA2

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Disponível
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$0.32
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IPD30N06S4L23ATMA2
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    IPD30N06S4L23ATMA2.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 10µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    PG-TO252-3-11
  • Série
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    23 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    36W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Outros nomes
    IPD30N06S4L23ATMA2TR
    SP001028638
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1560pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    60V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 60V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
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Pagamento
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Descrição: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD30N12S3L31ATMA1

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Descrição: MOSFET N-CHANNEL_100+

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD30N06S215ATMA2

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Descrição: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
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Descrição: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
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IPD30N06S2L23ATMA3

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Descrição: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
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IPD30N06S2L-13

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Descrição: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD33CN10NGATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
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Descrição: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD33CN10NGBUMA1

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Descrição: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD30N10S3L34ATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
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Descrição: MOSFET N-CH 200V 34A

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD30N06S223ATMA2

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Descrição: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD30N06S223ATMA1

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Descrição: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
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Descrição: MOSFET N-CH 60V 29A DPAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
IPD30N06S2-15

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Descrição: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

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Disponível
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Descrição: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

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