International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD320N20N3GBTMA1

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IPD320N20N3GBTMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IPD320N20N3GBTMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 90µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PG-TO252-3
Série

OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

32 mOhm @ 34A, 10V
Dissipação de energia (Max)

136W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

IPD320N20N3 GCT
IPD320N20N3 GCT-ND
IPD320N20N3GBTMA1CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

N-Channel 200V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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IPD30N10S3L34ATMA1

Descrição:

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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