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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRF6636TRPBF

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Imagem IRF6636TRPBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6636TRPBF

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10+

$1.642

100+

$1.319

500+

$1.026

1000+

$0.85

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF6636TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRF6636TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.45V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DIRECTFET™ ST
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.5 mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

DirectFET™ Isometric ST
Outros nomes

IRF6636TRPBFDKR
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2420pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

N-Channel 20V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 81A (Tc)

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