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Imagem IRF6641TR1PBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6641TR1PBF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRF6641TR1PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRF6641TR1PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.9V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DIRECTFET™ MZ
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

DirectFET™ Isometric MZ
Outros nomes

IRF6641TR1PBFTR
SP001563484
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2290pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

N-Channel 200V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.6A (Ta), 26A (Tc)

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