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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFB4127PBF

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Imagem IRFB4127PBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB4127PBF

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$3.242

500+

$2.625

1000+

$2.214

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFB4127PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRFB4127PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

20 mOhm @ 44A, 10V
Dissipação de energia (Max)

375W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

SP001560212
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5380pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

N-Channel 200V 76A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

76A (Tc)

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