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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFB4227PBF

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Imagem IRFB4227PBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB4227PBF

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10+

$3.184

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$2.559

500+

$1.99

1000+

$1.649

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFB4227PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRFB4227PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

24 mOhm @ 46A, 10V
Dissipação de energia (Max)

330W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

SP001565892
Temperatura de operação

-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

N-Channel 200V 65A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

65A (Tc)

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