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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFB4310PBF

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Imagem IRFB4310PBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB4310PBF

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Disponível

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$4.07

50+

$3.272

100+

$2.981

500+

$2.414

1000+

$2.036

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFB4310PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRFB4310PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max)

300W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

*IRFB4310PBF
SP001566592
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7670pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 130A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

130A (Tc)

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