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Imagem IRFH5053TR2PBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH5053TR2PBF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFH5053TR2PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRFH5053TR2PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.9V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PQFN (5x6) Single Die
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

18 mOhm @ 9.3A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

8-PowerVDFN
Outros nomes

IRFH5053TR2PBFDKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 9.3A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9.3A (Ta), 46A (Tc)

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