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Imagem IRFH5204TR2PBF.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH5204TR2PBF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

IRFH5204TR2PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 40V 22A PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IRFH5204TR2PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PQFN (5x6)
Série

HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.3 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.6W (Ta), 105W (Tc)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

8-VQFN Exposed Pad
Outros nomes

IRFH5204TR2PBFDKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2460pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

N-Channel 40V 22A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 100A (Tc)

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