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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > 1SR139-600T-32
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4633682Imagem 1SR139-600T-32.LAPIS Semiconductor

1SR139-600T-32

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    1SR139-600T-32
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 600V 1A MSR
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    1SR139-600T-32.pdf
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.1V @ 1A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    600V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    MSR
  • Velocidade
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tape & Box (TB)
  • Caixa / Gabinete
    DO-41 Mini, Axial
  • Temperatura de Operação - Junção
    150°C (Max)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 600V 1A Through Hole MSR
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    10µA @ 600V
  • Atual - rectificada média (Io)
    1A
  • Capacitância @ Vr, F
    -

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O seguinte é "1SR139-600T-32" produtos relacionados.
1SR124-400AT-81

1SR124-400AT-81

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
1SRED

1SRED

Descrição: CAP PUSHBUTTON SQUARE RED

Fabricantes: E-Switch
Disponível
RFQ
1SR154-600TE25

1SR154-600TE25

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A PMDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
1SR153-400T-32

1SR153-400T-32

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A MSR

Fabricantes: Rohm Semiconductor
Disponível
RFQ
1SR156-400TE25

1SR156-400TE25

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
1SR139-600T-31

1SR139-600T-31

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
1SR139-400T-31

1SR139-400T-31

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
2A07GHB0G

2A07GHB0G

Descrição: DIODE GEN PURP 2A DO204AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
1SR153-400T-31

1SR153-400T-31

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
ES1A-E3/61T

ES1A-E3/61T

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
VS-70HFLR60S02

VS-70HFLR60S02

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 70A DO203AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
CDLL4454

CDLL4454

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
RB162M-40TR

RB162M-40TR

Descrição: DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
1SR154-400TE25A

1SR154-400TE25A

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
1SR154-400TE25

1SR154-400TE25

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
SS115L RUG

SS115L RUG

Descrição: DIODE SCHOTTKY 150V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
1SR139-400T-32

1SR139-400T-32

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A MSR

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
1SR124-400AT-82

1SR124-400AT-82

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
BYW82-TR

BYW82-TR

Descrição: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Disponível
RFQ
1SR159-200TE25

1SR159-200TE25

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
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