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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTA114WSATP

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6096261

Imagem DTA114WSATP.

LAPIS Semiconductor

DTA114WSATP

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DTA114WSATP
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DTA114WSATP.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SPT
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Power - Max

300mW
Embalagem

Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete

SC-72 Formed Leads
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

24 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

DTA114

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