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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTA123JETL

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Imagem DTA123JETL.

LAPIS Semiconductor

DTA123JETL

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75000+

$0.043

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DTA123JETL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.DTA123JETL.pdf
2.DTA123JETL.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

EMT3
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-75, SOT-416
Outros nomes

DTA123JETL-ND
DTA123JETLTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

DTA123

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