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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTA123JEBHZGTL

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Imagem DTA123JEBHZGTL.

LAPIS Semiconductor

DTA123JEBHZGTL

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500+

$0.067

1000+

$0.045

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DTA123JEBHZGTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.DTA123JEBHZGTL.pdf
2.DTA123JEBHZGTL.pdf
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

EMT3F (SOT-416FL)
Série

Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

SC-89, SOT-490
Outros nomes

DTA123JEBHZGTLDKR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

-
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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