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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTC115TUAT106

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Imagem DTC115TUAT106.

LAPIS Semiconductor

DTC115TUAT106

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$0.022

150000+

$0.018

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DTC115TUAT106
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.DTC115TUAT106.pdf
2.DTC115TUAT106.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

UMT3
Série

-
Resistor - Base (R1)

100 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-70, SOT-323
Outros nomes

DTC115TUAT106-ND
DTC115TUAT106TR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

DTC115

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