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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTD543EMT2L

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Imagem DTD543EMT2L.

LAPIS Semiconductor

DTD543EMT2L

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Disponível

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Especificações

Modelo do Produto

DTD543EMT2L
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.DTD543EMT2L.pdf
2.DTD543EMT2L.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

12V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

VMT3
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-723
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

260MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

115 @ 100mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

500mA
Número da peça base

DTD543

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