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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > EMG6T2R

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5313554

Imagem EMG6T2R.

LAPIS Semiconductor

EMG6T2R

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16000+

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24000+

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56000+

$0.05

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

EMG6T2R
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.EMG6T2R.pdf
2.EMG6T2R.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

EMT5
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

-
Resistor - Base (R1)

47 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Outros nomes

EMG6T2R-ND
EMG6T2RTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

*MG6

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