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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > EMH10FHAT2R

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Imagem EMH10FHAT2R.

LAPIS Semiconductor

EMH10FHAT2R

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

EMH10FHAT2R
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.EMH10FHAT2R.pdf
2.EMH10FHAT2R.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

EMT6
Série

Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Outros nomes

EMH10FHAT2RTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

-
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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