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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > EMH75T2R

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22880

Imagem EMH75T2R.

LAPIS Semiconductor

EMH75T2R

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500+

$0.116

1000+

$0.089

2500+

$0.077

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

EMH75T2R
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.EMH75T2R.pdf
2.EMH75T2R.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA
Tipo transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

EMT6
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Outros nomes

EMH75T2RCT
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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