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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > IMD1AT108

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Imagem IMD1AT108.

LAPIS Semiconductor

IMD1AT108

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Especificações

Modelo do Produto

IMD1AT108
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

IMD1AT108.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA
Tipo transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SMT6
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

-
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Power - Max

300mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-74, SOT-457
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

-
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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