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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > R5021ANX
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1149185Imagem R5021ANX.LAPIS Semiconductor

R5021ANX

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$3.56
10+
$3.214
100+
$2.582
500+
$2.008
1000+
$1.664
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    R5021ANX
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 500V 21A TO220
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    R5021ANX.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-220FM
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    210 mOhm @ 10.5A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    50W (Tc)
  • Embalagem
    Bulk
  • Caixa / Gabinete
    TO-220-3 Full Pack
  • Outros nomes
    R5021ANXCT
    R5021ANXCT-ND
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2300pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    500V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 500V 21A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    21A (Tc)

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Envio
Pagamento
O seguinte é "R5021ANX" produtos relacionados.
R5030613LSWA

R5030613LSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 125A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5030610RSWA

R5030610RSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5030210RSWA

R5030210RSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5030418FSWA

R5030418FSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 175A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5021213LSWA

R5021213LSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 125A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5030618FSWA

R5030618FSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 175A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5021013LSWA

R5021013LSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 125A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5021018FSWA

R5021018FSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 175A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5021ANJTL

R5021ANJTL

Descrição: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
R5030410RSWA

R5030410RSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5021418FSWA

R5021418FSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.4KV 175A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5030413LSWA

R5030413LSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5022

R5022

Descrição: HINGED SNAP-ON EJECTOR

Fabricantes: Essentra Components
Disponível
RFQ
R5030218FSWA

R5030218FSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5021613FSWA

R5021613FSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.6KV 125A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5021413LSWA

R5021413LSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.4KV 125A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5030213LSWA

R5030213LSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5021218FSWA

R5021218FSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 175A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5021210RSWA

R5021210RSWA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
R5021210RSZT

R5021210RSZT

Descrição: DIODE GEN PURP

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
RFQ
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