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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > RFN1L7STE25
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1718361Imagem RFN1L7STE25.LAPIS Semiconductor

RFN1L7STE25

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    RFN1L7STE25
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    RFN1L7STE25.pdf
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.5V @ 800mA
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    700V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    PMDS
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    80ns
  • Embalagem
    Cut Tape (CT)
  • Caixa / Gabinete
    DO-214AC, SMA
  • Outros nomes
    RFN1L7STE25CT
  • Temperatura de Operação - Junção
    150°C (Max)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 700V 800mA Surface Mount PMDS
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    1µA @ 700V
  • Atual - rectificada média (Io)
    800mA
  • Capacitância @ Vr, F
    -
  • Número da peça base
    RFN1L7S

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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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RFN10BM3STL

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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
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RFN10BM6SFHTL

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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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RFN2L4STE25

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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