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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > RGT8NS65DGTL

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Imagem RGT8NS65DGTL.

LAPIS Semiconductor

RGT8NS65DGTL

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Disponível

1000+

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2000+

$0.523

5000+

$0.498

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RGT8NS65DGTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RGT8NS65DGTL.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2.1V @ 15V, 4A
Condição de teste

400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

17ns/69ns
Alternando Energia

-
Embalagem do dispositivo fornecedor

LPDS (TO-263S)
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

40ns
Power - Max

65W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

RGT8NS65DGTLTR
Temperatura de operação

-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

15 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
portão de carga

13.5nC
Descrição detalhada

IGBT Trench Field Stop 650V 8A 65W Surface Mount LPDS (TO-263S)
Atual - Collector Pulsada (ICM)

12A
Atual - Collector (Ic) (Max)

8A

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Envio

Pagamento

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