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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > RQ3E130BNTB
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RQ3E130BNTB

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Disponível
1+
$0.50
10+
$0.422
100+
$0.316
500+
$0.232
1000+
$0.179
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    RQ3E130BNTB
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    1.RQ3E130BNTB.pdf
    2.RQ3E130BNTB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-HSMT (3.2x3)
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    6 mOhm @ 13A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    2W (Ta)
  • Embalagem
    Cut Tape (CT)
  • Caixa / Gabinete
    8-PowerVDFN
  • Outros nomes
    RQ3E130BNTBCT
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    40 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1900pF @ 15V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    30V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 30V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

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Pagamento
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RQ3G100GNTB

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Descrição: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E100MNTB1

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E180BNTB

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Descrição: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E120BNTB

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Descrição: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB

Descrição: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E075ATTB

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Descrição: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E120GNTB

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

Descrição: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Descrição: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
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RQ3E100BNTB

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E160ADTB

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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RQ3E180GNTB

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RQ3E080BNTB

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
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