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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > RQ3E100BNTB
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RQ3E100BNTB

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Disponível
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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    RQ3E100BNTB
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    1.RQ3E100BNTB.pdf
    2.RQ3E100BNTB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-HSMT (3.2x3)
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    10.4 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    2W (Ta)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    8-PowerVDFN
  • Outros nomes
    RQ3E100BNTBTR
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    40 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1100pF @ 15V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    30V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

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