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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > RQ6E045BNTCR

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Imagem RQ6E045BNTCR.

LAPIS Semiconductor

RQ6E045BNTCR

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RQ6E045BNTCR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.RQ6E045BNTCR.pdf
2.RQ6E045BNTCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TSMT6 (SC-95)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

30 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.25W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes

RQ6E045BNTCRTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 4.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

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Forma de pagamento

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