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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > RQ6C050UNTR

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Imagem RQ6C050UNTR.

LAPIS Semiconductor

RQ6C050UNTR

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500+

$0.255

1000+

$0.197

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RQ6C050UNTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.RQ6C050UNTR.pdf
2.RQ6C050UNTR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TSMT6 (SC-95)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

30 mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

1.25W (Ta)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes

RQ6C050UNDKR
RQ6C050UNTRDKR
RQ6C050UNTRDKR-ND
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

N-Channel 20V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

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