RS1E180BNTB

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2500+

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Especificações

Modelo do Produto

RS1E180BNTB
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.RS1E180BNTB.pdf
2.RS1E180BNTB.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-HSOP
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.9 mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3W (Ta), 25W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Outros nomes

RS1E180BNTBTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 60A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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O seguinte é "RS1E180BNTB" produtos relacionados.

RS1E240BNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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