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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > RS1DLHRUG
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2478129Imagem RS1DLHRUG.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLHRUG

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
21600+
$0.049
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    RS1DLHRUG
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    RS1DLHRUG.pdf
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.3V @ 800mA
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    200V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    Sub SMA
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    150ns
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    DO-219AB
  • Temperatura de Operação - Junção
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    21 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    5µA @ 200V
  • Atual - rectificada média (Io)
    800mA
  • Capacitância @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Pagamento
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RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Descrição: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1DL RVG

RS1DL RVG

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1DLHMHG

RS1DLHMHG

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1DLHM2G

RS1DLHM2G

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1DTR

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Fabricantes: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Disponível
RFQ
RS1DLHMQG

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1DLHRTG

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1DLHRQG

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1E130GNTB

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Descrição: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
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