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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > RSQ025P03TR

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Imagem RSQ025P03TR.

LAPIS Semiconductor

RSQ025P03TR

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RSQ025P03TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RSQ025P03TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TSMT6 (SC-95)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

110 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.25W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

P-Channel 30V 2.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

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