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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > RU1C002ZPTCL
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1451185Imagem RU1C002ZPTCL.LAPIS Semiconductor

RU1C002ZPTCL

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Disponível
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$0.048
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    RU1C002ZPTCL
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    UMT3F
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Dissipação de energia (Max)
    150mW (Ta)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    SC-85
  • Outros nomes
    RU1C002ZPTCLTR
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    10 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    115pF @ 10V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    1.4nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    1.2V, 4.5V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    20V
  • Descrição detalhada
    P-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)
RU1608JR062CS

RU1608JR062CS

Descrição: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1C001UNTCL

RU1C001UNTCL

Descrição: MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

Descrição: MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RU1608JR043CS

RU1608JR043CS

Descrição: RES 43M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1608JR082CS

RU1608JR082CS

Descrição: RES 82M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1608JR036CS

RU1608JR036CS

Descrição: RES 36M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1608JR047CS

RU1608JR047CS

Descrição: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1608JR100CS

RU1608JR100CS

Descrição: RES 100M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1608JR039CS

RU1608JR039CS

Descrição: RES 39M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1608JR051CS

RU1608JR051CS

Descrição: RES 51M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1608JR033CS

RU1608JR033CS

Descrição: RES 33M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1C002UNTCL

RU1C002UNTCL

Descrição: MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RU1608JR030CS

RU1608JR030CS

Descrição: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1608JR056CS

RU1608JR056CS

Descrição: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1E002SPTCL

RU1E002SPTCL

Descrição: MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RU1608JR091CS

RU1608JR091CS

Descrição: RES 91M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1C001ZPTL

RU1C001ZPTL

Descrição: MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RU1608JR027CS

RU1608JR027CS

Descrição: RES 27M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1608JR068CS

RU1608JR068CS

Descrição: RES 0.068 OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RU1608JR075CS

RU1608JR075CS

Descrição: RES 75M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível

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