RZF013P01TL

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Especificações

Modelo do Produto

RZF013P01TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.RZF013P01TL.pdf
2.RZF013P01TL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TUMT3
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

800mW (Ta)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

3-SMD, Flat Leads
Outros nomes

RZF013P01TLDKR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

12V
Descrição detalhada

P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.3A (Ta)

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