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1601990Imagem UMA1NTR.LAPIS Semiconductor

UMA1NTR

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
3000+
$0.071
6000+
$0.064
15000+
$0.057
30000+
$0.053
75000+
$0.047
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    UMA1NTR
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    1.UMA1NTR.pdf
    2.UMA1NTR.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    UMT5
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    22 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Power - Max
    150mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    10 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequência - Transição
    250MHz
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 5V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número da peça base
    MA1

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