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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > UMD4NTR
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UMD4NTR

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
3000+
$0.071
6000+
$0.064
15000+
$0.057
30000+
$0.053
75000+
$0.047
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    UMD4NTR
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    1.UMD4NTR.pdf
    2.UMD4NTR.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    UMT6
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • Power - Max
    150mW, 120mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    10 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequência - Transição
    250MHz
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW, 120mW Surface Mount UMT6
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número da peça base
    *MD4

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Envio
Pagamento
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UMD3NTR

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Descrição: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
DMG964H10R

DMG964H10R

Descrição: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

Fabricantes: Panasonic
Disponível
RFQ
UMD5NTR

UMD5NTR

Descrição: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
NSBC124XDXV6T1

NSBC124XDXV6T1

Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
NSVB143ZPDXV6T1G

NSVB143ZPDXV6T1G

Descrição: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
RN1964TE85LF

RN1964TE85LF

Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RFQ
UMD12NTR

UMD12NTR

Descrição: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RN2964FE(TE85L,F)

RN2964FE(TE85L,F)

Descrição: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RFQ
IMD23T108

IMD23T108

Descrição: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
UMD2NTR

UMD2NTR

Descrição: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
DMG964040R

DMG964040R

Descrição: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

Fabricantes: Panasonic
Disponível
RFQ
DDA142JU-7-F

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Descrição: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMC961030R

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Descrição: TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5

Fabricantes: Panasonic
Disponível
RFQ
PIMN31,115

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Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.42W 6TSOP

Fabricantes: Nexperia
Disponível
RFQ
UMD6NTR

UMD6NTR

Descrição: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
UMD9NTR

UMD9NTR

Descrição: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RN2908FE(TE85L,F)

RN2908FE(TE85L,F)

Descrição: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RFQ
XN0121600L

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Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5

Fabricantes: Panasonic
Disponível
RFQ
BCR116SH6327XTSA1

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Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
UMD22NTR

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Descrição: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
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