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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > UMZ1NTR

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UMZ1NTR

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

UMZ1NTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.UMZ1NTR.pdf
2.UMZ1NTR.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

NPN, PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

UMT6
Série

-
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

UMZ1NTRTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

180MHz, 140MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount UMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

150mA
Número da peça base

*MZ1

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