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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICS) > Memória > MT40A256M16GE-075E AIT:B TR
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4581275Imagem MT40A256M16GE-075E AIT:B TR.Micron Technology

MT40A256M16GE-075E AIT:B TR

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    MT40A256M16GE-075E AIT:B TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    MT40A256M16GE-075E AIT:B TR.pdf
  • Modelo ECAD
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    -
  • Tensão - Fornecimento
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR4
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    96-FBGA (14x9)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Cut Tape (CT)
  • Caixa / Gabinete
    96-TFBGA
  • Outros nomes
    557-1729-1
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    4Gb (256M x 16)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.33GHz 96-FBGA (14x9)
  • Freqüência de relógio
    1.33GHz

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MT40A256M16GE-062E:B TR

MT40A256M16GE-062E:B TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A1G8WE-083E IT:B TR

MT40A1G8WE-083E IT:B TR

Descrição: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-062E IT:B

MT40A256M16GE-062E IT:B

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-075E AAT:B

MT40A256M16GE-075E AAT:B

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-075E:B

MT40A256M16GE-075E:B

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-075E IT:B

MT40A256M16GE-075E IT:B

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-083E AUT:B

MT40A256M16GE-083E AUT:B

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A1G8WE-083E:B TR

MT40A1G8WE-083E:B TR

Descrição: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-075E AIT:B

MT40A256M16GE-075E AIT:B

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-075E AUT:B

MT40A256M16GE-075E AUT:B

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A1G8Z01AWC1

MT40A1G8Z01AWC1

Descrição: DDR4 8G DIE 1GX8

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-075E IT:B TR

MT40A256M16GE-075E IT:B TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-083E AIT:B

MT40A256M16GE-083E AIT:B

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-083E AAT:B

MT40A256M16GE-083E AAT:B

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-062E IT:B TR

MT40A256M16GE-062E IT:B TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
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MT40A256M16GE-062E:B

MT40A256M16GE-062E:B

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR

MT40A256M16GE-075E AUT:B TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
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