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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > MT47H128M4BT-37E:A TR
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1393204Imagem MT47H128M4BT-37E:A TR.Micron Technology

MT47H128M4BT-37E:A TR

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
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$24.64
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    MT47H128M4BT-37E:A TR
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    15ns
  • Tensão - Fornecimento
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    92-FBGA (11x19)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    92-VFBGA
  • Outros nomes
    557-1044-2
    MT47H128M4BT37EATR
  • Temperatura de operação
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    512Mb (128M x 4)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 267MHz 500ps 92-FBGA (11x19)
  • Freqüência de relógio
    267MHz
  • Número da peça base
    MT47H128M4
  • Tempo de acesso
    500ps
MT47H128M4CB-5E:B TR

MT47H128M4CB-5E:B TR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M4CB-37E:B

MT47H128M4CB-37E:B

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M4B6-25E:D TR

MT47H128M4B6-25E:D TR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M4CF-187E:G

MT47H128M4CF-187E:G

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M16RT-25E XIT:C

MT47H128M16RT-25E XIT:C

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M4CB-3:B

MT47H128M4CB-3:B

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M4CB-37E:B TR

MT47H128M4CB-37E:B TR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M4CF-25E:G

MT47H128M4CF-25E:G

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M4CB-3:B TR

MT47H128M4CB-3:B TR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M16RT-25E:C TR

MT47H128M16RT-25E:C TR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M16RT-25E IT:C

MT47H128M16RT-25E IT:C

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M4SH-25E:H

MT47H128M4SH-25E:H

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M16RT-25E IT:C TR

MT47H128M16RT-25E IT:C TR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M16RT-3:C

MT47H128M16RT-3:C

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M4CF-25E:G TR

MT47H128M4CF-25E:G TR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT47H128M4B6-3:D TR

MT47H128M4B6-3:D TR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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