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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > MT49H32M9SJ-25:B TR

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Imagem MT49H32M9SJ-25:B TR.

Micron Technology

MT49H32M9SJ-25:B TR

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Disponível

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Especificações

Modelo do Produto

MT49H32M9SJ-25:B TR
Fabricante / Marca

Micron Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

MT49H32M9SJ-25:B TR.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

-
Tensão - Fornecimento

1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia

DRAM
Embalagem do dispositivo fornecedor

144-FBGA (18.5x11)
Série

-
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

144-TFBGA
Outros nomes

MT49H32M9SJ-25:B TR-ND
MT49H32M9SJ-25:BTR
Temperatura de operação

0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memória

Volatile
Tamanho da memória

288Mb (32M x 9)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

DRAM Memory IC 288Mb (32M x 9) Parallel 400MHz 20ns 144-FBGA (18.5x11)
Freqüência de relógio

400MHz
Tempo de acesso

20ns

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Forma de pagamento

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Fabricantes: Micron Technology

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MT49H32M9FM-33 TR

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Descrição: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

Fabricantes: Micron Technology

Disponível

MT49H32M9SJ-25:B

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Fabricantes: Micron Technology

Disponível

MT49H32M9BM-33:B TR

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Descrição: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

Fabricantes: Micron Technology

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MT49H32M9BM-25:B TR

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MT49H64M9SJ-25E:B TR

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MT49H64M9BM-25:B TR

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MT49H64M9CBM-25E:B

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MT49H64M9SJ-25E:B

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Descrição: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

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MT49H32M9FM-25:B

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MT49H32M9FM-25 TR

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