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696617Imagem APT10035LLLG.Microsemi Corporation

APT10035LLLG

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Especificações
  • Modelo do Produto
    APT10035LLLG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Modelo ECAD
  • Tensão - Teste
    5185pF @ 25V
  • Tensão - Breakdown
    TO-264 [L]
  • VGS (th) (Max) @ Id
    350 mOhm @ 14A, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Série
    POWER MOS 7®
  • Status de RoHS
    Tube
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    28A (Tc)
  • Polarização
    TO-264-3, TO-264AA
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de peça do fabricante
    APT10035LLLG
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    186nC @ 10V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    5V @ 2.5mA
  • Característica FET
    N-Channel
  • Descrição expandida
    N-Channel 1000V (1kV) 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    -
  • Descrição
    MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    1000V (1kV)
  • Rácio de capacitância
    690W (Tc)

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