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2038145Imagem APT1003RBLLG.Microsemi

APT1003RBLLG

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Especificações
  • Modelo do Produto
    APT1003RBLLG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    APT1003RBLLG.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-247 [B]
  • Série
    POWER MOS 7®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    3 Ohm @ 2A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    139W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-247-3
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    694pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    1000V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 1000V 4A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

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