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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > APT102GA60B2
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6667210Imagem APT102GA60B2.Microsemi

APT102GA60B2

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    APT102GA60B2
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IGBT 600V 183A 780W TO247
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    APT102GA60B2.pdf
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 62A
  • Condição de teste
    400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (ligar / desligar) @ 25 ° C
    28ns/212ns
  • Alternando Energia
    1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
  • Série
    POWER MOS 8™
  • Power - Max
    780W
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-247-3 Variant
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    PT
  • portão de carga
    294nC
  • Descrição detalhada
    IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole
  • Atual - Collector Pulsada (ICM)
    307A
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    183A

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Pagamento
O seguinte é "APT102GA60B2" produtos relacionados.
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Descrição: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Descrição: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Descrição: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Descrição: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Descrição: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Descrição: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Descrição: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Descrição: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Descrição: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Descrição: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Descrição: IGBT 600V 183A 780W TO264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Descrição: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Descrição: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Descrição: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Descrição: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Descrição: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Descrição: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Descrição: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Descrição: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Descrição: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
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